电力电缆发热的在线监测技术

主要研究方向有：电力电缆1、生物分子的高敏检测分析（单分子荧光检测技术）。

利用F取代策略，发热成功合成了Tc为419K[(4-FABCH)CdCl3]的有机-无机铁电杂化钙钛矿，发热其铁电工作温度从190K增加到419K，ΔT=229k是目前已报道的分子铁电体中的最大增强值，表明H/F替代的性能可以与同位素效应和其它方法相媲美。（d-f）在60V的尖端电压进行电极化后，线监表面形貌、PFM振幅和PFM相图像。

测技（c-d）(ABCH)CdCl3和(4-FABCH)CdCl3的温度依赖性SHG强度。然而，电力电缆已报道的通过F替代提高Tc不能与通过同位素效应在KDP和LDP中观察到的增强作用相比。分子铁电体还具有很高的结构可调性，发热为高Tc铁电体提供了丰富的设计平台。

【图文解读】图一、线监H/F替代设计高Tc分子铁电体的原理图图二、(4-FABCH)CdCl3的相变温度值（a）(ABCH)CdCl3和(4-FABCH)CdCl3的DSC曲线。因此，测技开发一种有效、简单且通用的增强Tc的方法是一项重要且持续的挑战。

此外，电力电缆(4-FABCH)CdCl3还表现出多轴特性。

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同时，测技CMTP的MAPbI3X射线探测器的高性能可与传统的高质量CdZnTe器件相媲美，这表明CMTP是一种经济高效的生长高质量电子级半导体单晶的方法。此外，电力电缆与ITC参照样品相比，电力电缆CMTP生长的晶体的陷阱密度低至4.5×109cm-3，降低了近200％，迁移率高达150.2cm2V-1s-1，增长了187％，迁移率-寿命积高达1.6×10–3cm2V–1，增加了约450％。

发热（a）MAPbI3单晶(400)晶面的X射线摇摆曲线。线监（b）低温253K下MAPbI3单晶记录的典型γ射线谱。